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国内首家DRAM供应商诞生:10nm级工艺 月产能将占全球3%
发布时间:2020-11-10        浏览次数:0        返回列表

  长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动,专业从事DRAM内存的研发、生产和销售,目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产,并通过专用研发线快速迭代研发,结合当前先进设备大幅度改进工艺,开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元,中国快消品招商网

  该晶圆厂每月产量为20000晶圆,到2020年第二季度这一速度会提升到40000晶圆/月,曹县百事恒兴工艺品有限公司。大概能占到全球内存产能的3%。

  目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光,它计划于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂,距离量产还要3-5年时间。

  就在前几天,长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布,就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利,长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议,长鑫收获大量原奇梦达内存专利。