4月20日消息，强茂半导体推出了最新的650V和1200V 碳化硅肖特基势垒二极管系列，与硅基础的组件相比，它们提供了出色的开关性能和更高的可靠性。 强茂最新发布的650V和1200V碳化硅二极管产品系列采用通孔型TO-220AC、TO-263、TO-252AA和新增加TO-247AD-2LD/3LD封装，额定电流范围为4安培（A）至40安培（A）。
强茂的碳化硅肖特基势垒二极管具有零反向恢复电流，低正向压降，高温独立切换开关特性，高浪涌电流能力和出色的热性能。此外，碳化硅技术可以在-55°C至+ 175°C的工作温度范围内提供较低的传导损耗，并具有稳定性和高耐用性。
新型碳化硅肖特基势垒二极管旨在为工程师设计各种应用的功率转换电路，包括PV逆变器，EV充电桩，工业电机，电信和服务器电源以及家用电器，在这些应用中，他们面临着如何在更高的系统效率下实现更小的占板面积的挑战。 强茂提供的650V和1200V碳化硅二极管，是下一代电源系统设计的理想解决方案。
产品性能：
SiC SBD产品阵容：
