连云港IGBT回收公司

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；

IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

部分型号：

S1812R-184K

集成电路IC G5126RC1U

CM2009-00QR

DPG2000PN                  

LP2951DR

TJ2996D

AT25640N-10SC

AD1674BR

MS MCJ12CA                    

N79E825ASG

1210A-005D-3S                

TVNS52301AA0

IHLP1616BZERR47MA1           

MDRR-DT-20-25-F              

LPC2388FBD144

GLV92RE0381/CW-LM04S40R0LV   

223-97-03GB97

9-160583-2                   

1N5227B-TAP

LPC2148FBD64

LDLN015PU33R                 

LS M150JE3/TR13               

STPS20LCD80CFP

TS5A22364DGSR

DVK-BT900-SC-03               

GRM0335C1H3R0CA01D

GRM188R60J226MEA0D

FH12-12S-0.5SV(55)

ICS650R-11I

TAJT105K020RNJ               

OV09732-H35A

DAP013DDR2G

AD7865-3

MT8553HAAT

HP3DC2TR

GLFR1608TR47M-LR

SDINADF4-64G-H

S3710

LDD-F302NI-RA/LT

AD80293ABBCZ-1-RL

SQCSVA180JAT1A                

CL31B102KCFNNNE

BLP7G07S-140P

联系我时请说明来自志趣网，谢谢!

• 如遇无效、虚假、诈骗信息，请立即举报

  举报