新浪科技讯 7月6日上午消息，天眼查App显示，6月29日，华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。
专利摘要显示，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
新浪科技讯 7月6日上午消息，天眼查App显示，6月29日，华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公
新浪科技讯 7月6日上午消息，天眼查App显示，6月29日，华为技术有限公司公开“半导体器件及相关模块、电路、制备方法”专利，公开号CN113054010A，申请日期为2021年2月。
专利摘要显示，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
