长鑫存储2016年5月在安徽合肥启动，专业从事DRAM内存的研发、生产和销售，目前已建成第一座300毫米晶圆厂并投产，并通过专用研发线快速迭代研发，结合当前先进设备大幅度改进工艺，开发出了独有的技术体系。长鑫内存自主制造项目总投资1500亿元，
该晶圆厂每月产量为20000晶圆，到2020年第二季度这一速度会提升到40000晶圆/月，大概能占到全球内存产能的3%。
目前长鑫存储国内唯一的竞争对手是清华紫光，它计划于2021年在重庆建成研发中心和DRAM晶圆厂，距离量产还要3-5年时间。
就在前几天，长鑫存储技术有限公司与加拿大公司Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.今日联合宣布，就原内存制造商奇梦达开发的DRAM内存专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司Polaris Innovations Limited达成专利许可协议和专利采购协议，长鑫收获大量原奇梦达内存专利。
