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闪存、内存现货价格下跌速度放缓:预计明年初触底

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-12-12 11:43:07    来源:快科技    作者:快科技    浏览次数:944
导读

闪存、内存现货价格下跌速度放缓:预计明年初触底

对于想要抄底买内存的小伙伴来说,可以适当的考虑了,因为现货价格下跌速度已经放缓了。

据《电子时报》报道,11月主流 8Gb和16Gb DDR4芯片现货价格下跌0.7-1.5%,而10月的平均跌幅为7%,11月3D TLC NAND闪存芯片现货价格跌幅同样较上月趋缓,SLC和MLC NAND芯片价格已停止下跌。

消息人士指出,为保持价格稳定,上游芯片供应商对明年的产能扩张保持谨慎,使得现货市场的供应商能够协商出更好的价格。据消息人士称,2022年DRAM整体位供应量预计将增加约5%。

同时,出于盈利考虑,芯片供应商正寻求将更多用于低密度商品DRAM内存的可用产能转移至CMOS图像传感器的制造,同时启动DDR6内存研发。

该消息人士称,尽管渠道零售商和分销商对2022年第一季度的需求前景仍然悲观,但在2月中旬之后,需求的可见度有可能变得更加清晰。

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转载与快科技

#内存#闪存#TLC闪存

责任编辑:雪花

 
(文/快科技)
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