近期路透社曾报道，韩国存储芯片大厂SK海力士在江苏无锡工厂引进EUV光刻机的计划可能面临搁浅，原因是美国方面反对EUV光刻机这类先进设备进入中国大陆。
这一问题之前在SK海力士内部引起了相当程度的关注，以至于CEO李锡熙在7月访问华盛顿期间向美国官员提出了相关关切，不过短期来看阻力显然不小。
李锡熙在11月22日的一场活动上表示，（基于EUV的）第四代DRAM芯片从7月开始在韩国生产，要在中国工厂应用相同的技术还有很长的路要走，将在与相关方面合作的同时明智地应对此事。
此前SK海力士宣布，将在未来5年内斥资约43亿美元，持续从阿斯麦采购EUV光刻机。
其在韩国本土的工厂已经引进EUV光刻技术，并于去年7月开始成功量产基于EUV的10nm第四代DRAM芯片；计划引入无锡工厂的EUV光刻机也将用于生产10nm DRAM芯片。
据悉，SK海力士在无锡工厂所生产的DRAM内存芯片占其产量的约一半，占全球总产量的15%。
因此，设备升级受阻或将对市场产生重大影响，也将使SK海力士在与三星、美光的竞争中处于劣势。
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