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证券时报e公司讯,盛美上海消息,公司今日推出新型化学机械研磨后(Post-CMP)清洗设备。这是公司的第一款Post-CMP清洗设备,用于制造高质量衬底化学机械研磨(CMP)工艺之后的清洗。该清洗设备6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅(SiC)衬底制造;8英寸和12英寸配置适用于硅片制造。该设备有湿进干出(WIDO)和干进干出(DIDO)两种配置,并可选配2、4或6个腔体,拥有每小时60片晶圆的最大产能。
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