。1989年巨磁阻现像的发现及随后几年巨磁阻材料的开发,直至巨磁阻磁头GMR的制成与应用都为MRAM存储器研究开发奠定了基础。
1995年IBM、摩托罗拉及好莱坞等三家大企业提供基金进行高密、高速低耗MRAM芯片的开发,其技术指标及产品目标要求如下:
由上述表中的四种内存只有MRAM能同时满足计算机内存的四项要求:非易失性、随机存取速率高、数据存储密度高以及耗电功率低等。因此美、日、欧等发达国家都很重视这项新技术,投巨资加速MRAM产品的商业化。
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