目前，7nm工艺较台积电有明显优势。大多数制造商已经向台积电下了7nm的订单。虽然英伟达的下一代GPU amps将同时使用两种7nm工艺，但大部分仍将由台积电生产，我们也知道台积电已经加大了对5nm工艺技术的投入。据说苹果已经给了台积电三分之二的A14处理器订单。
但台积电的胜利可能不会永远。据韩国经济杂志报道，三星已经迈出了3nm工艺的第一步，他们已经克服了3nm和1nm工艺中使用的GAA技术。三星的3nm工艺将使用GAA技术，而不是目前的FinFET。新工艺可使芯片面积减少35%，功耗降低50%左右。与5nm场效应晶体管工艺相比，在相同功耗下，性能提高了33%。
事实上，三星一年前就开始研究3nm GAA工艺。当时，他们的目标是在2021年实现大规模生产。这真是雄心勃勃。三星的目标是到2030年成为世界上第一家半导体制造商。
GAA全能门和FinFET的区别在于GAA设计在沟道的四个边上都有栅，以确保降低漏电压和改善沟道的控制。这是减少流程节点的基本步骤。与5nm的FinFET工艺相比，更高效的晶体管设计，加上更小的节点尺寸，可以实现更好的能耗。
