并且使得门极和源极的电压差大于MOSFET导通的阈值电压，使得MOSFET的源极和漏极导通。
如果源极和正电压和门极的控制电压不同步，则可能使得MOSFET内部的体二极管先于源极和漏极之间的通路导通，下图阶段1。
流过MOSFET源极和漏极的电流不能立即上升到工作电流，MOSFET源极和漏极之间的压电不能立即下降到导通电压。
当结电容很小，门极的驱动信号的驱动能力很强时，电压、电流的下升和下降沿非常陡，阶段2,４产生的功耗可以忽略不计；
而题主所说的在环境温度为24度时，MOSFET的表示温度大概为120度，也就是产生了100度左右的温升。
另一种可能是因为门极驱动信号的驱动能力压，其输出电阻比较大，使用在结电容的作用上，驱动波形的上升和下降沿不够陡峭。
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