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12nm工艺 紫光国芯发布GDDR6控制器芯片:速率可达16Gbps
发布时间:2020-11-16        浏览次数:0        返回列表

  不经意间,中国的芯片公司又闯入了一个新领域,日前西安紫光国芯宣布推出12nm工艺的GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6 MC/PHY IP)。

  紫光国芯之前做过DDR内存芯片,还有就是NAND闪存,推出显存相关的IP芯片还是第一次,而且水准不低,制程工艺使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工艺,做的也是GDDR6存储控制器和物理接口IP(GDDR6 MC/PHY IP),洛阳国润新材料科技股份有限公司大家可以理解为GDDR6显存的主控芯片。

  根据紫光国芯介绍,这个GDDR6 MC/PHY IP包括一个可配置的内存控制器(MC),苏州proe代理如何选购!其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0标准,并允许设计工程师生成具有优化延迟和带宽的GDDR6控制器以满足高性能应用的要求,如显卡,游戏机和AI计算等。

  与主流GDDR6存储颗粒集成,经过流片测试验证,该IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps数据率时满足设计规格要求。且当数据率为16Gbps时,平均每个DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。