【PChome存储频道资讯报道】近日，SK海力士（SK Hynix）公布了第一颗DDR5-6400内存芯片，频率高达6400MHz，是现在多数DDR4内存的两倍左右，单颗容量为16Gb(2GB)。SK海力士的DDR5-6400内存采用1y nm工艺制造，也就是第二代10nm级别工艺，芯片面积为76.22平方毫米。
https://img-cms.pchome.net/article/1k3/6c/2v/pjg6zp-1tw8.jpg?x-oss-process=image/format,jpg/resize,m_lfit,w_720/quality,q_100
SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米，等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量，存储密度翻了一番。不过，随着后续工艺的进步，芯片面积有望进一步缩小以降低成本，比如第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩小到了53.6平方毫米，比第一代减小了30％。
https://img-cms.pchome.net/article/1k3/6c/2u/pjg6u2-1zmj.jpg?x-oss-process=image/format,jpg/resize,m_lfit,w_720/quality,q_100
另外，新内存的工作电压仅为1.1V，相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8％，而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。
https://img-cms.pchome.net/article/1k3/6c/2u/pjg6ub-232e.png?x-oss-process=image/format,jpg/resize,m_lfit,w_720/quality,q_100
为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压，SK海力士在电路设计上加装了新的延迟锁定环DLL，使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator)，以减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真。另外还有新的前向反馈均衡(FFE)电路，以及新的写入均衡训练算法。
https://img-cms.pchome.net/article/1k3/6c/2u/pjg6uj-1p3h.png?x-oss-process=image/format,jpg/resize,m_lfit,w_720/quality,q_100
目前，三星电子、SK海力士、美光等存储巨头已经在全力部署DDR5内存，但JEDEC（固态存储协会）一直未能公布行业标准（2月20日JEDEC发布了LPDDR5内存标准）。
（文中图片来自网络）
