主要由晶体管或MOS管组成，这种开关电路广泛应用于开关电源、电机驱动、LED驱动和继电器驱动等应用场合，是一种最为常用的开关电路。由于模拟信号的抗干扰能力不如数字信号，诸如晶体管的基极电流会对模拟信号产生较大的干扰作用，因此常常使用MOS管而不是晶体管。这种模拟开关电路广泛应用于高频天线开关、传感器模拟开关、音视频模拟开关等模拟信号的开关应用场合，这也是非常常用的一种开关电路。
（3）机械开关电路：诸如单刀双刀开关、继电器开关等都属于机械开关的范畴。机械开关的显著缺点是开关频率很低，开关器件体积较大，而且寿命较短；机械开关的优势是开关损耗很小，隔离度非常棒，而且可以实现掉电保持功能。由于机械开关电路的原理非常简单，这里不再详细介绍。
饱和区。晶体管数字开关电路主要包括发射极接地型开关电路和射极跟随器型开关电路两种，其中发射极接地型开关电路去掉集电极电阻则可以改成开集输出(OC)电路；同理射极跟随器型开关电路复制两个可以改成推挽输出电路。当需要输出大的负载电流
的基极电流，这对于输出端的大负载电流情况下的基极驱动电路就无能为力。因此可以采用达林顿管来解决这个问题，达林顿管是一种复合管，它的直流放大倍数Hfe非常大。如下图所示，当采用达林顿管连接时，前管的发射极电流全部变成后管的基极电流，所以总的直流放大倍数Hfe是各个晶体管的直流放大倍数Hfe之积(Hfe1 * Hfe2)。这样只需要较小的基极电流，便能得到较大的负载电流，以用于驱动大功率负载设备。但是需要注意的是，达林顿管的开启电压一般为1.2~1.4V，为两个Vbe。2.2、晶体管开关电路的性能参数：
，可以明显提高开关频率，实现高速开关。(2)、隔离度：表示开关截止时有多少输入信号泄露到输出的特性。当输入信号频率较低时，泄露会很少；但当输入信号频率提高，输入信号会通过晶体管的集电极-发射极间的极间电容向输出泄露，这是隔离度参数变得异常重要。
(3)、导通电阻：表示开关导通时晶体管的集电极-发射极间的等效电阻特性。导通电阻过大，则信号与功率损耗也非常大，因此导通电阻越小越好。2.3、晶体管开关电路的应用：
恒流区。MOS管数字开关电路主要包括源极接地型开关电路和源极跟随器型开关电路两种，其中源极接地型开关电路去掉漏极电阻则可以改成开漏输出(OD)电路；同理源极跟随器型开关电路复制两个可以改成推挽输出电路。3.2、MOS管开关电路的性能参数：
，MOS管由于能够实现高速开关，因此被大量应用于工作频率高的开关电源电路中。当然采用源极跟随器型开关电路
，高频特性会更加改善。(2)、隔离度：表示开关截止时有多少输入信号泄露到输出的特性。当输入信号频率较低时，泄露会很少；但当输入信号频率提高，输入信号会通过MOS管的漏极-源极间的极间电容向输出泄露，这是隔离度参数变得异常重要。(3)、导通电阻：MOS管的导通电阻会比晶体管的导通电阻小很多，因此非常适合大功率重负载驱动的开关应用场合。
是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以
也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多......
MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场效应管）。也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。对于MOS管的选型，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流......
三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用。严格说起来，三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同，但是它却具有一些机械式开关所没有的特点。图1所示，即为三极管电子开关的
一、功率MOS管：功率MOSFET在导通时的导通损耗很小，非常适合于驱动大电流、重负载设备，被广泛地应用于开关电源的开关器件或者继电器、绕组、电动机等的驱动电路中。二、电机驱动电路(H桥)：H桥是一个典型的直流电机控制电路，其既可以采用分立元器件搭建，也可以采用集成芯片来实现指定的功能，但是一般的集成芯片的驱动功率都很小，不适用于大功率电机的驱动场合使用。现在大部分的H桥一般都采用功率MO......
区/状态/电阻三极管是电子行业常用的元器件之一，他是一种电流型控制的器件，他有三种工作状态：截止区，放大区、饱和区。当三极管当做开关使用时，他工作在饱和区。下面简短讲解三极管作为开关使用的方法，只讲干货。NPN型三极管以驱动蜂鸣器为例，NPN驱动蜂鸣器的电路如下图所示：单片机的输出口通过一个电阻接到基极，发射极接蜂鸣器的正极，集电极通过电阻接电源。当单片机的管脚SPEAK为高电平时，PN结发生正向......
特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种，符号如下：图1左NPN型三极管，右PNP型三极管MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MOS管（简称NMOS），符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：图22三极管和......
三极管不仅可以对模拟信号放大，也可作为控制开关使用，作为开关使用的三极管处于截止与饱和状态，其
电路如下图所示：其中，集电极电阻R1为上拉电阻，当三极管Q1截止时将输出电压上拉至电源VCC（高电平），可以理解为开集（OC）输出结构的上拉电阻，具体可参考文章《电阻（4）之上/下拉电阻》，基极串联电阻R2为限流电阻，防止输入电压Vi幅值过高导致基极电流超额而损坏三极管，下拉电阻R......
一、单稳态触发电路：其工作特性具备如下三个特点。因此被广泛用于脉冲整形、延时(产生滞后于触发脉冲的输出脉冲)以及定时(产生固定时间宽度的脉冲信号)等。(1)、它有稳态和暂稳态两个不同的工作状态。(2)、在外界触发脉冲的作用下，能从稳态翻转到暂稳态，在暂稳态维持一段时间后，再自动返回稳态。(3)、暂稳态维持时间的长短取决于电路本身的参数，与触发脉冲的宽度和幅度无关。二、单稳态触发电路......
关注、星标公众号，不错过精彩内容来源：21ic电子网整理：strongerHuang晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸...
运算电路包括比例、加减、积分、微分、指数、对数等模拟运算电路。在运算电路中，以输入电压作为自变量，以输出电压作为函数，当输入电压变化时，输出电压将按一定的数学规律变化，即输出电压反应输入电压某种运算的结果。由于集成运放优良的指标参数，引入的负反馈均为深度负反馈，因此集成运算电路的输入输出关系仅仅取决于负反馈网络和输入网络，因此选择适当的负反馈网络和输入网络，便可以实现所需要的运算功能的运算......
开关升压电路原理 假定那个开关（三极管或者mos管）已经断开了很长时间，所有的元件都处于理想状态，电容电压等于输入电压。下面要分充电和放电两个部分来说明这个电路。 充电过程 在充电过程中，开关闭合（三极管导通），等效电路如图二，开关（三极管）处用导线代替。这时，输入电压流过电感。二极管防止电容对地放电。由于输入是直流电，所以电感上的电流以一定的比率线性增加，这个比率跟电感大小有关......
1.基极必须串接电阻，保护基极，保护CPU的ＩＯ口。2.基极根据ＰＮＰ或者ＮＰＮ管子加上拉电阻或者下拉电阻。3.集电极电阻阻值根据驱动电流实际情况调整。同样基极电阻也可以根据实际情况调整。4.基极和发射极需要并联电阻，该电阻的作用是在输入呈高阻态时使晶体管可靠截止，极小值是在前级驱动使晶体管饱和时与基极限流电阻分压后能够满足晶体管的临界饱和，实际选择时会大大高于这个极小值，...
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关管的电压不是立即下降到零，而是有一个下降时间，同时它的电流也不是立即上升到负载电流，也有一个上升时间。在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，即为开通损耗。同理类比可以推断......
一、共射放大电路：输入信号从三极管基极输入，从集电极输出，因为发射极为公共接地端，故命名为共射放大电路。共射放大电路是应用最为广泛的三极管放大电路的接法。共射放大电路的电流和电压增益都大于1，适用于低频情况下的应用，经常被用作放大集成电路中的中间级。共射放大电路输出信号的相位与输入信号的相位相差180°(相位相反)。注1：下图中的直流偏置电路(一般为两个分压电阻)并未画出，但是实际电路中一......
