在3nm节点，三星为了跟台积电竞争，激进地选择了下一代的GAA晶体管技术，台积电方面更稳妥一些，第一代3nm工艺依然在使用FinFET工艺，好处是今年下半年就可以量产。
在今天的财报会上，台积电也解释了他们的3nm工艺的进展，强调3nm工艺发展顺利，正按照计划在下半年量产。
台积电强调，3nm继续使用FinFET晶体管是综合考虑在，能提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本。
据台积电官方资料显示，台积电的3nm相比上一代的5nm工艺，在逻辑密度上提升了1.7倍，性能提升了11%，同等性能下功耗可降低25-30%。
此外，台积电也透漏了增强版的3nm工艺N3E，称它会在3nm工艺量产一年后量产，也就是在2023年推出，会带来更强的性能。
不过台积电对N3E的技术细节还是保密，没有透漏是否会升级晶体管架构。
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责任编辑：宪瑞
