最近，复旦大学微电子学院某研究团队研发出“第三类存储技术”，引起了关注。那到底什么是“第三类储存技术”呢？下面我大致介绍一下。
01 先说说目前的半导体电荷存储技术，主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会立即消失。稍懂些电脑的朋友都知道，我们做系统用的PE系统就是运行在内存里的，我们在PE系统里的“我的文档”内存储些文件，然后重新启动再进PE，打开里面的“我的文档”发现什么也没有了。
02 第二类是非易失性存储，如U盘，数据写入需要几微秒到几十微秒，比起内存来慢多了，但好处是断电数据也不会丢失。
03 那么“第三类存储技术”就是结合了两者的优点，采用的是多重二维半导体材料，写入速度比目前U盘快1万倍，和内存差不多甚至还要快，数据刷新时间则要比内存要快得多，并且可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。
