霍尔传感器主要由霍尔元件构成。霍尔元件采用的材料有N型锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）及磷砷化铟（InAsP）等。各种材料制成的霍尔元件特性各异，InSb元件的输出信号较大，但受温度的影响也较大（但近期生产的新型霍尔元件，在- 20℃～+80℃时，其温度系数低于0.002／C）；砷化铟元件及锗元件的输出不如锑化铟大，但温度系数小，线性也好；采用砷化镓的元件温度特性好，但价格较贵。
早期的霍尔传感器元件由单晶薄片在两端焊上两根控制电流引线，另两端焊上两根输出引线，如下图（a）所示。
现在生产的霍尔传感器元件是采用外延及离子注入工艺、或者是采用溅射工艺制造出的产品，其尺寸小，性能优良，也使生产成本大大降低。图4-12（b）是由锑化铟为材料制成的霍尔传感器元件结构。它是由衬底、十字形溅射薄膜、引线（电极）及磁性体顶部（用来提高输出灵敏度）等部分构成的，采用陶瓷或塑料封装方式。
霍尔传感器元件输出的电动势很小，并且容易受温度的影响。随着半导体工艺的不断发展，现在已经将霍尔元件、放大器、温度补偿电路以及稳压电源等制作在一个芯片上，通常称这种芯片为集成霍尔传感器，简称为霍尔传感器或霍尔集成电路。霍尔传感器通常分为线性型与开关型两大类。 ●线性型霍尔传感器的输出电压与外加磁场呈线性关系。
无论是线性型霍尔传感器还是开关型霍尔传感器，它们的外形多数与一般的晶体三极管或8脚DIP封装的集成电路十分相似，前者也采用3个引出脚方式。
