Power Mate i MODEL H发那科FANUCCNC数控系统维修模块损坏维修因此，SIA1997路线年提供的工作站和服务器中使用1.5GHz，40M晶体管，385mm2微处理器，其功耗将高达110W，并进一步大幅度提高至3.5GHz，200M晶体管，520mm2芯片，耗散160W的功耗。在2006年的工作站和服务器中使用[SIA，1997]。在这些发展的压力下，热量管理（再一次）经常定义电子系统的性能，功能和可靠性的极限。而且，如果不增强热技术，建模和设计技术，就不可能在产品性能和成本效益方面实现未来半导体器件技术的全部潜力。因此，“热包装”已经成为电子产品开发人员词典中的一个熟悉术语，并且近年来见证了与此主题相关的会议，书籍和期刊的泛滥。热学从业人员-适用于电子组件和系统-在整个电子行业中再次有很高的需求。
热包装的历史150W的芯片功耗预计在下个十年中旬出现，与微电子曙光开始时的1960年代初期使用的小规模集成（SSI）器件的典型0.1W至0.3W相比，减少了三个数量级。时代。在接下来的20年中，在1980年代中期的大规模集成（LSI）双极器件和超大规模集成（VLSI）CMOS器件中，芯片发热仅增加了一个数量级，达到约1-5W。但是，到1990年代初，更大，更快的CMOS芯片将功耗推到了15-30W的范围内[Bar-Cohen，A.，1993]，并为满足巨大的热管理需求奠定了基础。在过去的三十年中，尽管芯片功耗迅速增加，甚至在恶劣的外部环境中，热科学的成功应用和深刻的热优化技术已使组件温度稳定在100°C以下。
但是，令人回想起来的是，这是1925年Cockroft进行的变压器冷却研究首次使热管理引起了电气工程界的注意。在1930年代，Cockroft的工作之后是Mouromtseff和Koyanowski[1935]和Mourmotseff[1942]关于高功率真空管的空气和液体冷却的两篇重要论文。Elenbaas在1942年进行的一项经典研究针对自然对流散热片阵列的设计和优化，结束了热包装的个时代。第二次大战之后，电子产品在军事和商业领域的使用日渐广泛，这导致人们广泛认识到对电子组件进行热包装和设计的需求以及热控制技术的首次兴起[Kaye，J.，1956]。系统地实施有前途的概念（实际上是在“战斗热”中构想的）导致了真空管冷却的广泛改进。
通过外部通道展示了增强外部对流换热的技术，并开发了液体冷却，用于大功率行波管。尽管可以通过更换真空管来实现功耗的显着降低，但晶体管效率和可靠性的反温度依赖性以及快速增长的晶体管封装密度极大地扩展了热封装工程师的作用。用于晶体管组件的安装和热维护的所谓冷板的开发和热设计开始在该领域占据许多工人。尽管在1960年代和1970年代电子冷却应用的范围持续扩大，特别是响应于固态晶体管的发展[Kilby，1964]，但是在这几十年中，许多技术努力都致力于应用，文档化和记录。标准化常规的空气和液体冷却技术[Bergles等，1972]。在大型计算机公司的实验室中，有希望的但更新颖的热管理概念（包括使用制冷剂。
浸入式冷却，增加的沸腾沸腾，热管和热电设备）受到困扰，只是很少从“概念验证”迁移对实际产品进行研究。在1980年代，越来越高的竞争压力要求以更低的价格提供更高的可靠性，质量和计算性能，从而加速了VLSICMOS半导体技术向高端应用的普及。CMOSIC的相对较低的功耗（越来越多地用于便携式，台式和工作站产品中）与大型机和超级计算机中使用的高热通量双极组件形成鲜明对比，这导致了热包装技术的分歧。试图通过双极技术来模拟CMOS栅极密度，可靠性和成本，要求越来越高的功耗和结构复杂的单芯片封装以及复杂的多芯片模块，这些模块在一个共同的基板上互连多达150个芯片。增加的双极功率密度，在芯片上高达7W（15-25W/cm2）。
