中新经纬6月22日电 据台湾《经济日报》消息，三星电子22日否认韩国媒体《东亚日报》有关延后3纳米芯片量产的报道。此前，《东亚日报》称，由于良率远低于目标，三星3纳米芯片量产将再延后。
据悉，三星一位发言人透过电话表示，三星目前仍按进度于第2季开始量产3纳米芯片。
此外，韩国财经媒体BusinessKorea报道，三星为赶超台积电，加码押注3纳米环绕闸极技术(GAA)技术，希望未来三年建立GAA技术的3纳米芯片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米晶片。
BusinessKorea还指出，三星据传6月初已导入3纳米GAA制程，进行试验性量产，成为第一家运用GAA技术的公司，希望技术能达成量子级的跃进，缩短和台积电之间的差距。
据报道，三星上半年把GAA技术应用于3纳米制程后，计划明年把GAA技术导入第二代3纳米晶片。台积电的策略则是在今年下半年以稳定的FinFET制程，进入3纳米半导体市场。(中新经纬APP)
