报道称，三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3纳米半导体，GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。
如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片，后两家公司分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产3纳米芯片。
据了解，在竞争激烈的3nm制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极（GAA）晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的3nm制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构相比，性能将提升30%，能耗降低50%，逻辑面积效率提升超过45%。
