目前在台面上有能力研发先进处理器的厂商跟相关技术的，几乎都来自于美国或其同盟国家，这使得中国、俄罗斯等美国传统意义上的“对手”，一直都想要在领域上有所突破，避免遭到美国一时之间进行大规模封锁而失去自主优势。来自俄罗斯的微处理器开发商MCST，近日对外展示了最新的16
MCST 成立于1992 年，为带有俄罗斯官方性质的科技公司，旗下处理器透过 Elbrus 与 SPARC 两种指令集架构进行开发，前者从苏联时代就开始发展，为俄罗斯的自主架构。
目前MCST 已经成功在原型服务器上运行ElbrusLinux操作系统，Elbrus-16C CPU 则预计于2021 年下半年开始大量生产，借此满足俄罗斯政府对安全性和可靠性要求的桌上型电脑与服务器。
如果预测苹果每年都会推出价格低廉的iPhoneSE，那么这将成为令人失望的消息。苹果今年4月时隔4年....
电子发烧友网报道（文/黄山明）随着全球经济在第三季度开始恢复，电子元器件的需求也开始回暖，带动产业中....
三星发布5nm工艺Exynos 1080 vivo首发搭载Exynos 1080处理器的手机
三星Exynos今天在上海举办了首场面向中国市场的新品发布会，并发布了具有旗舰级性能的Exynos ....
芯片大战中怎么能够少了三星，三星Exynos 1080不仅拥有最先进的5nm制程工艺，三星Exyno....
谈起iPad，现在对很多人来说印象比较模糊。实际上也是如此，其已经分为两大类型，一类是注重性能的Pr....
除了苹果A14、华为麒麟9000之外，今天第三款5nm处理器来了，这就是三星的Exynos 1080....
昨天，苹果发布了他们全新的MacBook系列产品。这不是一个普通的发布版本，如果说有什么不同的话，苹....
11 日凌晨 2 点，苹果为 Apple Silicon Mac 新品举办了一场线上发布会。尽管基于....
如今玩游戏已经变成一个上万亿元的大产业了，但是殊不知，人们线D GPU，不过才短短20多年的....
TrendForce旗下显示器研究处表示，受惠于疫情所衍生的宅经济效应，2020年Apple Mac....
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2018年2月，AMD发布了第一代锐龙V1000系列嵌入式处理器，14nm工艺、Zen+Vega架构....
前文说过，所谓衰变就是原子核的分裂，原子核之所以分裂，是因为粒子随机出现在不同位置上。比如，原子核由....
“世界需要我们行业加速数字化转型”，Tom Caulfield强调。这就当然给格芯带来了前所未有的新....
Cinebench R23 多款 CPU 的跑分 苹果开发者套装的 A12Z 跑分 987 分
IT之家 11 月 12 日消息 昨天，知名 CPU 跑分软件 Cinebench 现已发布 R23....
随着笔电产品硬件性能的提升，高端轻薄本作为一个细分领域也逐渐受到主流笔电用户的关注。但具体到笔电的实....
华为Mate 40 Pro抢不到，华为Mate 40Pro+抢不到，华为Mate40 RS保时捷典藏....
在昨天的发布会上，苹果表示自研的桌面级M1处理器是足够快的（官方声称拥有世界上最快的CPU核心），已....
今年8月，HMD发布了诺基亚C3，售价为699元，主打老年人市场。外观方面，诺基亚C3用上了5.99....
苹果正式发布了用于Mac的PC处理器M1，苹果强调M1的性能与上一代相比提升了3倍，看起来似乎M1的....
针对苹果发布的基于ARM机构的M1桌面处理器，微软已经第一时间跟进了。 据外媒报道称，微软Offic....
由于麒麟芯片数量不足，今年华为大量采购联发科天玑芯片，多款中低端产品都采用联发科。除华为外，OPPO....
联发科技表示，随着天玑700的上市，将进一步助力5G终端的规模化普及。据报道，定位入门的联发科5G芯....
RedmiK40系列新机将采用OLED柔性直屏，采用中置前摄单挖孔的正面设计，支持120Hz高刷新率....
AMD 发布了全新的锐龙 V2000 系列嵌入式处理器，为喜欢 Ryzen Embedded 产品线....
今晨，微软面向Dev通道的Insider会员推送了新预览版，操作系统版本号Build 20257，隶....
今年 9 月，游戏开发商 Epic Games 向美国地方法院提出诉讼，要求苹果 App Store....
最近有人跟评价君讨论iPhone 12 Pro Max这款产品，聊着聊着，忽然想起现在其实还有个iP....
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英特尔在周二晚上发布了 20201110 CPU 微代码更新包，这也是自 6 月以来的又一个重大更新....
Zen3架构的锐龙5000系列已经诞生了，但这并不意味着Zen2架构就没有用武之地了。今天，AMD发....
知名 CPU 跑分软件 Cinebench 现已发布 R23 版本，支持了搭载苹果 M1 芯片的设备....
Intel正式发布了其首款面向服务器数据中心的独立显卡，代号SG1，正式名称就简单直接地叫做服务器G....
苹果昨天正式发布了全新的Mac电脑芯片M1，外媒anandtech带来了相关分析，抛弃x86，基于A....
Cinebench本来是Cinema 4D中的一个3D性能测试工具，然而这几年已经成为AMD钦定最权....
这也是Intel的第三款Xe LP架构独立显卡产品，此前已有面向轻薄本、台式机的Iris Xe MA....
北京时间11月11日，在苹果秋季第三场发布会上，苹果在正式介绍M1处理器之后，正式发布了新一代的苹果....
这个双11，不少人在抢iPhone 12、抢Mate40 Pro，还有PC玩家在抢AMD的锐龙500....
今晨，苹果发布了自研5nm M1处理器，并随之推出三款Mac产品，终于用行动表明了自己两年内将Mac....
本周二表示，公司正积极开发新版虚拟化软件，从而确保 Parallels Desktop 应用能够支持....
昨晨，苹果发布了自研5nm M1处理器，并随之推出三款Mac产品，终于用行动表明了自己两年内将Mac....
11月11日，苹果今年第三次发布会如期举行，此次发布会上，苹果官方推出了其自研电脑芯片M1，同时苹果....
昨天，苹果发布了搭载自研 M1 芯片的 MacBook Air、MacBook Pro 和 Mac ....
机电散热巨头酷冷至尊今天发布了一款旗舰级水冷散热器“ML360 Sub-Zero”，从别致的名字上就....
Hi3798M V200H是一款支持4Kp60解码的全4K高性能SoC，面向DVB机顶盒市场。Hi3....
磁阻式随机存储器(MRAM)是一种新型存储器,其优点有读取速度快和集成度高及非挥发性等。目前许多研究主要是致力于将MRAM存...
在Intel举办的架构日活动上，Intel公布2021年CPU架构路线图、下一代核心显卡、图形业务的未来、...
STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器
oelectronics STM32 L5超低功耗MCU设计用于需要高安全性和低功耗的嵌入式应用。这些MCU基于Arm树皮-M33处理器及其TrustZone，用于Armv8-M与ST安全实施结合。STM32 L5 MCU具有512KB闪存和256KB SRAM。借助全新内核和ST ART Acccelerator， STM32 L5 MCU的性能进一步升级。这些STM32 L5 MCU采用7种形式封装，提供大型产品组合，支持高达125C的环境温度。 特性 超低功耗，灵活功率控制： 电源范围：1.71V至3.6V 温度范围：-40C至+85/+125C 批量采集模式（BAM） VBAT模式下187nA：为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下，17nA（5个唤醒引脚） 待机模式下，108nA（5个唤醒引脚） 待机模式下，配备RTC，222nA 3.16A停止2，带RTC 106A/MHz运行模式（LDO模式） 62A/MHz 运行模式（3V时）（SMPS降压转换器模式） ...
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU
oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核，工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度，支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU)，可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器，具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM）。另外，该器件还具有各种连接到APB总线位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设，以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部-调制器 (DFSDM) 的数字滤波器，并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...
for i in `seq 1 $(cat /proc/cpuinfo grep physical id wc -l)`; do dd if=/dev/zero of=/dev/null & done ...
特征 兼容串行外围接口（SPI）；支持SPI模式0（0,0）和3（1,1）；数据表描述了模式0操作低压运行；1.8（VCC=1.8V至5....
当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部，然后取下单片机，单片机就可以执行这条指令，那么这条指令...
本文将通过比较Cortex-M系列处理器之间的产品特性，告诉你如何根据产品应用选择正确...
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一...
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机
标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店，为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索，驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放，App Store和Wandoujia。...
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序
，零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格（主要电气参数，产品一般说明，主要特点和市场地位） 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序，它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS
引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机
或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格（主要电气参数，产品一般说明，主要特点和市场地位） 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序，它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备
于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择： MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言：英语（中国，日本和韩国即将推出） 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS，提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索，驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置，并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置，刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间：540 µs（典型值） 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节，可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性，请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计，可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力，可以提供多种工作模式，包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器，并将其存储在EEMEM中。存储设置之后，系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器；也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限：100年（典型值， TA = 55°C ）产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源：2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压：3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置，刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力：100年（典型值，TA = 55°C ）产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR)，具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程，可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下，可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下，可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时，可以通过执行EEMEM保存操作，将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后，这些值就可以自动传输至RDAC寄存器，以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能；也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻：25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差：±8%（最大值） 低温度系数：35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器，用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期：100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围：-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2，拥有1024阶跃分辨率，保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口，AD5235具有灵活的编程能力，支持多达16种工作模式和调节模式，其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读，同时提供额外的EEMEM1 ，用于存储用户定义信息，如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间：140 µs（典型值） 完全单调性工作 端接电阻：10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**，提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能，而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富，可通过一个标准三线式串行接口进行编程，具有16种工作与调整模式，包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读，并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息，如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下，可以将特定设置直接写入RDAC寄存器，以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中，并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复，或者通过外部PR选通脉冲予以恢复；WP功能则可保护EE...
信息优势和特点 单芯片结构 双缓冲锁存器支持兼容8位微处理器 快速建立时间：500 ns（最大值，至±1/2 LSB） 片内集成高稳定性嵌入式齐纳基准电压源 整个温度范围内保证单调性 整个温度范围内保证线 LSB（最大值，AD567K） 保证工作电压：±12 V或±15 V 欲了解更多信息，请参考数据手册产品详情AD567是一款完整的高速12位单芯片数模转换器，内置一个高稳定性嵌入式齐纳基准电压源和一个双缓冲输入锁存器。该转换器采用12个精密、高速、双极性电流导引开关和一个经激光调整的薄膜电阻网络，可提供快速建立时间和高精度特性。微处理器兼容性通过片内双缓冲锁存器实现。输入锁存器能够与4位、8位、12位或16位总线直接接口。因此，第一级锁存器的12位数据可以传输至第二级锁存器，避免产生杂散模拟输出值。锁存器可以响应100 ns的短选通脉冲，因而可以与现有最快的微处理器配合使用。AD567拥有如此全面的功能与高性能，是采用先进的开关设计、高速双极性制造工艺和成熟的激光晶圆调整技术(LWT)的结果。该器件在晶圆阶段进行调整，25°C时最大线 LSB（K级），整个工作温度范围内的线 LSB。芯片的表面下（嵌入式...
28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件，内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式（0,0& 1,1） 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC，TSSOP和8焊盘TDFN，UDFN封装 此设备无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件，内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品（Rev. E）。 特性 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0）& （1,1） 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页（新产品） 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ，TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅，无卤素/ BFR，以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件，内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（）启用。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 20 MHz（5 V）SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0和1,1） 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP，SOIC，TSSOP 8引脚和TDFN，UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅，无卤素/ BFR，符合RoHS标准...
60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件，内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。通过片选（ CS ）输入使能器件。此外，所需的总线信号是时钟输入（SCK），数据输入（SI）和数据输出（SO）线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能，包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式（0,0& 1,1） 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC，T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
信息优势和特点 完整的8位DAC 电压输出：0 V至2.56 V 内部精密带隙基准电压源 单电源供电：5 V (±10%) 完全微处理器接口 快速建立时间：1 xxs内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗：75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 T min至T max的所有误差 小型16引脚DIP或20引脚PLCC封装 低成本产品详情AD557 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器，它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整，就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。AD557 DACPORT的低成本和多功能特性是单芯片双极性技术持续发展的结果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑（I2L）实现，集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构，与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路，采用+5 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性，对这些薄膜电阻进行激光晶圆调整则可实现出厂绝对校准，误差在±2.5 LSB以内，因此不需要用户进行增益或失调电压调整。新电路设计可以使电压在800 ns内达到±...
信息优势和特点 完整8位DAC 电压输出：两种校准范围 内部精密带隙基准电压源 单电源供电：+5 V至+15 V 完全微处理器接口 快速建立时间：1 ±s内电压达到±1/2 LSB精度 低功耗：75 mW 无需用户调整 在工作温度范围内保证单调性 规定了 Tmin至Tmax的所有误差 16引脚DIP和20引脚PLCC小型封装 激光晶圆调整单芯片供混合使用产品详情AD558 DACPORT®是一款完整的电压输出8位数模转换器，它将输出放大器、完全微处理器接口以及精密基准电压源集成在单芯片上。无需外部元件或调整，就能以全精度将8位数据总线与模拟系统进行接口。这款DACPORT器件的性能和多功能特性体现了近期开发的多项单芯片双极性技术成果。完整微处理器接口与控制逻辑利用集成注入逻辑（I2 L）实现，集成注入逻辑是一种极高密度的低功耗逻辑结构，与线性双极性制造工艺兼容。内部精密基准电压源是一种取得专利的低压带隙电路，采用+5 V至+15 V单电源时可实现全精度性能。薄膜硅铬电阻提供在整个工作温度范围内保证单调性工作所需的稳定性（所有等级器件），对这些薄膜电阻运用最新激光晶圆调整技术则可实现出厂绝对校准，误差在±1 LSB以内，因此不需要用户进行增...
