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集成运放在信号处理方面的应用-有源滤波器的设计与调试

   日期:2020-11-05     浏览:3    

  集成运放在信号处理方面的应用-有源滤波器的设计与调试_电力/水利_工程科技_专业资料。模拟电子技术实验 实验五 集成运放在信号处理方面的应用 ——有源滤波器的设计与调试 电子基础教学实验中心 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 一、实 验 目 的 电子基础教学实验

  模拟电子技术实验 实验五 集成运放在信号处理方面的应用 ——有源滤波器的设计与调试 电子基础教学实验中心 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 一、实 验 目 的 电子基础教学实验中心 二、设计原理与参考电路 三、实 验 内 容 四、实 验 仪 器 五、预习要求与实验报告 六、实验研究与思考题 目录 一 实验目的 模拟电子技术实验 1.熟悉二阶有源滤波器的基本原理、电路结构 和基本性能。 2.学会二阶有源滤波器的基本设计方法。 3.熟悉二阶有源滤波器参数的测量。 电子基础教学实验中心 目录 二 设计原理与参考电路 模拟电子技术实验 (一)由运算放大器和RC元件组成的有源滤波器的基础知识 1)优点:不用电感元件、有一定增益、重量轻、体积小和调 试方便,可用在信息处理、数据传输和抑制干扰等方面。 2)缺点:但因受运算放大器的频带限制,这类滤波器主要用 于低频。 3)分类:根据对频率选择要求的不同,滤波器可分为低通、 高通、带通与带阻四种,它们的幅频特性如图5.1所示。 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 图 5.1 滤波器的幅频特性 理想幅频特性的滤波器是很难实现的,只能用实际的滤波器 的幅频特性去逼近理想的滤波器。一般来说,滤波器的阶数n越高, 幅频特性衰减的速率越快,越接近理想的滤波器,但RC网络的阶 数越多,元件参数计算越繁琐,电路调试越困难。所以这里主要 介绍具有巴特沃斯响应的二阶有源滤波器的基本设计方法。 电子基础教学实验中心 目录 (二) 二阶有源LPF的设计 1、 基本原理: 典型二阶有源低通滤波 器如图5.2所示,为防止 自激和抑制尖峰脉冲, 在负反馈回路可增加电 容 C3,C3的容量一般 为22pF-51pF。该滤 波器每节RC电路衰减 -20dB/10倍频程, 每级滤波器-40dB/ 10倍频程。 Vi R1 模拟电子技术实验 C3 Rb Ra A R2 VO C2 C1 图5.2 二阶有源LPF 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 传递函数的 关系式为: A(s) s2 AV f 2 n n Q s 2 n 式中 Auf 、ωn 、Q分别表示如下: 通带增益: 固有角频率: AV f 1 Rb Ra n 1 R1R2C1C2 品质因数: Q R1R2C1C2 C2 (R1 R2 ) (1 A V f )R1C1 电子基础教学实验中心 目录 2、 设计方法 模拟电子技术实验 下面介绍设计二阶有源LPF时选用R、C的两种方 法。 方法一:设Avf=1,R1=R2,则Ra= ,以及 Q 1 C1 2 C2 fn 2 R 1 C1C2 C1 2Q n R C2 1 2Qn R n C1 4Q2 C2 (n为阶数) 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 方法二:R1=R2=R,C1=C2=C,则 Q 1 3 AVf fn 1 2 RC 由上式得知 fn ,Q可分别由R、C值和运放增益Auf 的变化来单独调整,相互影响不大,因此该设计法 对要求特性保持一定 fn 而在较宽范围内变化的情 况比较适用,但必须使用精度和稳定性均较高的元 件。 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 3、设计实例 要求设计如图5.3所示的具有巴特沃思特性(Q≈0.71) 的二阶有源LPF, fn= lkHz。 按方法一和方法二两种设计方法分别进行计算,可得如下两种 结果。 方法一:取Avf=1 ,Q≈0.71,选取R1=R2=R=160k,可得: C1 2 C2 C1 2Q n R 1400 pF 1 R nC C2 C1 2 700 pF 方法二:取R1=R2=R=160KΩ,Q 0.71,由式(5.7)可得: C1 C2 1 2 fn R 0.001 F 电子基础教学实验中心 目录 (三) 二阶有源HPF 1、基本原理 HPF与LPF几乎具 有完全的对偶性,把图 5.2中的R1、R2和C1、 C2位置互换就构成如图 5.3所示的二阶有源 HPF。二者的参数表达 式与特性也有对偶性; 模拟电子技术实验 Rb Ra A Vo Vi C1 R1C2 R2 图5.3 二阶有源HPF 电子基础教学实验中心 目录 二阶HPF的 传递函数为: 模拟电子技术实验 A(s) s2 A 2 Vf n n Q s n2 式中 AVf 1 Rb Ra n 1 R1R2C1C2 Q 1 n R2 (C1 C2 ) (1 AVf )R2C2 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 2、设计方法 HPF中R、C参数的设计方法也与LPF相似,有两种。 方法一:设 Q =1,取C1=C2=C,根据所要求的 Q、fn (n )、Auf 、可得 R1 1 2QnC R2 2Q nC n R1 4Q 2 R2 方法二: 设C`1=C2=C,R1=R2=R,根据所要求的Q、ω。 AVf 3 1 Q R 1 nC 有关这两种方法的应用特点与LPF情况完全相同。 电子基础教学实验中心 目录 模拟电子技术实验 3、设计实例 设计如图5.4所示的具有巴 Rb 特沃斯特性的二阶有源HPF (Q 0.71),已知 Ra fn=1kHz,计算R、C的参数。 若按方法一:设Avf=1, 选取C1=C2=C=1000Pf,求 Vi A Vo 得R1=112KΩ,2=216kΩ, 各选用110KΩ与220kΩ标称 C1 R1C2 R2 值即可。 若按方法二:选取 R1=R2= R=


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